3月份Intel新任CEO帕特·基辛格宣布了全新的IDM 2.0戰(zhàn)略，其中主要內(nèi)容就是投資200億美元在美國建設(shè)2座新的晶圓廠。9月24日，基辛格駕駛挖掘機(jī)正式給新項目奠基，2024年這些工廠要首發(fā)量產(chǎn)20A埃米工藝。

美國亞利桑那州是Intel晶圓生產(chǎn)的重鎮(zhèn)，算上這次的投資，Intel公司40多年來已經(jīng)在該地區(qū)投資了500億美元，CEO基辛格表示這次的投資代表著Intel致力于在該領(lǐng)域長期投資，幫助美國半導(dǎo)體重回領(lǐng)先地位。

該投資計劃預(yù)計將創(chuàng)造3000多個高技術(shù)、高薪酬的長期工作崗位，以及3000多個建筑就業(yè)崗位和大約15000個當(dāng)?shù)亻L期工作崗位。

Intel公布了這里兩座晶圓廠的細(xì)節(jié)，分別會命名為Fab 52、Fab 62，并首次透露這些工廠將會在2024年量產(chǎn)20A工藝——這與之前預(yù)期的不同，原本以為會量產(chǎn)的是Intel 4這樣的下兩代工藝。

Intel 20A工藝是今年7月份才公布的，是Intel 10/7/4/3工藝之后的升級版，而且首次進(jìn)入后納米時代，直接用了埃米（A代表的是Ångstrom，1納米等于10埃米），技術(shù)細(xì)節(jié)美公布，但字面意義上看20A差不多就是2nm工藝的級別，符合3nm之后的摩爾定律升級規(guī)則。

20A工藝除了EUV光刻工藝之外，還會有2大黑科技——R ibbonFET及PowerVia。

根據(jù)Intel所說，RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實(shí)現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構(gòu)。該技術(shù)加快了晶體管開關(guān)速度，同時實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動電流，但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨(dú)有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。

按照規(guī)劃，20A工藝預(yù)計會在2024年量產(chǎn)，屆時臺積電的2nm工藝應(yīng)該也會問世，Intel的工藝再次回到最先進(jìn)水平。