10月12日消息，今日，三星官方宣布已開始量產(chǎn)基于極紫外光（EUV）技術(shù)的14nm DRAM。

三星表示，繼去年3月推出首款EUV DRAM后，又將EUV層數(shù)增加至5層，為DDR5解決方案提供當(dāng)下更為優(yōu)質(zhì)、先進(jìn)的DRAM工藝。

根據(jù)最新DDR5標(biāo)準(zhǔn)，三星的14nm DRAM速度高達(dá)7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。

三星指出，隨著DRAM工藝不斷縮小至10nm范圍，EUV技術(shù)能夠提升圖案準(zhǔn)確性，從而獲得更高性能和更大產(chǎn)量，因此該項(xiàng)技術(shù)變得越來越重要。

據(jù)介紹，通過在14nmDRAM中應(yīng)用5個EUV層，三星實(shí)現(xiàn)了自身最高的單位容量，同時，整體晶圓生產(chǎn)率提升了約20%，與前代DRAM工藝相比，14nm工藝可幫助降低近20%的功耗。

值得一提的是，三星還計劃擴(kuò)展其14nm DDR5產(chǎn)品組合，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、超級計算機(jī)與企業(yè)服務(wù)器的應(yīng)用。

同時，三星預(yù)計將14nm DRAM芯片容量提升至24GB，以搞好滿足全球IT系統(tǒng)快速增長的數(shù)據(jù)需求。

三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung Lee 表示，“通過開拓關(guān)鍵的圖案技術(shù)，三星活躍全球DRAM市場近三十年”。

他強(qiáng)調(diào)，如今，三星正在通過多層EUV建立起另一個技術(shù)的里程碑，該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了14nm的極致化，這也是傳統(tǒng)氟化氬 (ArF) 工藝無法實(shí)現(xiàn)的。

在此基礎(chǔ)上，三星將繼續(xù)為5G、AI和元宇宙中需要更高性能和更大容量的數(shù)據(jù)驅(qū)動計算，提供最具差異化的內(nèi)存解決方案。