近日，江波龍電子旗下存儲(chǔ)品牌FORESEE發(fā)布了自產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片，在制程工藝、傳輸速度、低功耗、高溫穩(wěn)定性上都達(dá)到了行業(yè)一線水平。

FORESEE DDR4內(nèi)存芯片基于當(dāng)前最先進(jìn)的1α nm制程工藝，相比傳統(tǒng)的1x nm，在成本可控的前提下，性能進(jìn)一步升級(jí)，同時(shí)采用TFBGA 96-ball封裝，尺寸僅為13×7.5×1.2mm。

運(yùn)行速率為2666-3200MHz，比上代DDR3L提升最多近30％，單顆容量為市場(chǎng)主流的1GB，電壓1.2V。

FORESEE DDR4內(nèi)存主要面向無人機(jī)、IPC、機(jī)頂盒、智能音箱、智能電視、GPON、POS機(jī)、電視盒子等等，并可滿足網(wǎng)絡(luò)通信、智能終端等的數(shù)據(jù)緩存需求，而憑借小尺寸、低功耗的特點(diǎn)，它可為終端設(shè)備提供更多的發(fā)揮空間。

江波龍還特別介紹了該DDR4內(nèi)存的測(cè)試流程和方法。

FORESEE DDR4每一個(gè)顆粒都經(jīng)過了高溫老化、高溫壓力測(cè)試、性能測(cè)試3大類，共40多個(gè)子測(cè)試項(xiàng)。

波龍電子稱，基于10nm ASIC芯片測(cè)試方案，定制了高速、高頻、大規(guī)模、低功耗的自動(dòng)化測(cè)試機(jī)臺(tái)LS428，并自主開發(fā)測(cè)試程序，可以同時(shí)測(cè)試4800顆芯片，還具備速度測(cè)試、功能測(cè)試、高溫老化測(cè)試能力。

特別是創(chuàng)新研發(fā)直接進(jìn)行高溫測(cè)試的測(cè)試座（Socket），能夠直接在測(cè)試座內(nèi)實(shí)現(xiàn)0~125℃線性升溫，以進(jìn)行高溫測(cè)試，而無需按照常規(guī)的高溫測(cè)試方案，將芯片取下機(jī)臺(tái)后送入高溫箱測(cè)試。

10nm ASIC測(cè)試系統(tǒng)

全方位測(cè)試