本月22日，韓國半導體工業協會成立30年紀念活動在首爾舉辦。

與會期間，SK海力士CEO Seok-hee Lee（李錫熙）和媒體交流時談到了無錫海力士半導體工廠相關情況。

關于EUV光刻機進廠可能延期的問題，李錫熙表示，正與美方合作，進展良好。EUV光刻技術已經在韓國本土的DRAM產線上應用，中國工廠還有充足的時間供斡旋溝通。

據悉，SK海力士將基于EUV光刻機制造10nm DRAM芯片，也就是第四代內存。無錫工廠同樣計劃應用相關技術，目前正尋求多種途徑克服困難，畢竟它是一家韓國企業。

資料顯示，無錫海力士工廠的DRAM產能大約占SK海力士全球產能的15%。