2025年前上海要突破光刻設備 芯片設計進入3nm工藝內

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作為國內半導體行業的重鎮,日前上海方面印發了《上海市先進制造業發展“十四五”規劃》的通知,其中提到要著力發展三大先導產業(集成電路、生物醫藥、人工智能)。

在集成電路方面,通知要求集成電路產業以自主創新、規模發展為重點,提升芯片設計、制造封測、裝備材料全產業鏈能級。

通知也針對芯片設計、制造封測及裝備材料三個領域提出了明確的要求。

其中芯片設計方面,應加快突破面向云計算、數據中心、新一代通信、智能網聯汽車、人工智能、物聯網等領域的高端處理器芯片、存儲器芯片、微處理器芯片、圖像處理器芯片、現場可編程邏輯門陣列芯片(FPGA)、5G核心芯片等,推動骨干企業芯片設計能力進入3nm及以下,打造國家級電子設計自動化(EDA)平臺,并能支持新型指令集、關鍵核心IP等形成市場競爭力。

制造封測方面,通知要求加快先進工藝的研發,能支持12英寸先進工藝生產線建設和特色工藝產線建設,爭取產能倍增,從而加快第三代化合物半導體的發展;發展晶圓級封裝、2.5D/3D封裝、柔性基板封裝、系統封裝等先進封裝技術。

針對半導體設備及材料,通知要求加強裝備材料創新發展,突破光刻設備、刻蝕設備、薄膜設備、離子注入設備、濕法設備、檢測設備等集成電路前道核心工藝設備;提升12英寸硅片、高端掩膜板、光刻膠、濕化學品、電子特氣等基礎材料產能和技術水平,強化本地配套能力。

此外,充分發揮張江實驗室、國家集成電路創新中心等“1+4”創新體系的引領作用,加強前瞻性、顛覆性技術研發和布局,聯合長三角開展產業鏈協作。加快建設上海集成電路設計產業園、東方芯港、電子化學品專區等特色產業園區載體,引進建設一批重大項目。

最終到2025年,上?;窘ǔ删邆渥灾靼l展能力、具有全球影響力的集成電路創新高地。

2025年前上海要突破光刻設備 芯片設計進入3nm工藝內

 
  • 本文由 米粒 發表于 2021年7月15日16:13:34
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