在昨日（10月14日）業績會上公布三季度財報后，臺積電還透露了先進制程的最新進展。

大家最關心的3nm方面，第一代計劃明年下半年投產，同時，3nm也有增強版（N3E），計劃2023年下半年投產。顯然，這樣的節奏大概率會與第一大客戶蘋果的A16、A17處理器相對應。

“E”的后綴說實話比較新鮮，畢竟7nm增強版、5nm增強版都是用“P”做后綴，不知道E代表底氣更足還是更差了，謹慎猜測是后者。

按照此前披露的信息，第一代3nm（N3）的功耗將比5nm降低25~30%，性能提升10~15%，晶體管密度提升70%。縱向對比的話，弱于5nm之于7nm的變化，坦率來說，有些讓人失望。

另外，針對部分特定需求客戶，臺積電還有4nm在準備，它可以視為5nm的改良版，晶體管密度提升6%，同時制造流程簡化，換言之，良率會更高。

在微觀層面，臺積電的3nm仍舊是FinFET晶體管結構，這預計也是FinFET的謝幕之作。Intel、三星、臺積電都將悉數向GAA（環繞柵極）晶體管過渡，其中Intel稱之為RibbonFET，擁有獨家的PowerVia背面電路技術。