Intel透露“4nm EUV”工藝進展:每瓦性能提升20% 進展良好

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10月底發布的12代酷睿不僅升級了大小核架構,工藝也升級到了Intel 7(之前的10nm SF工藝增強版),從這一代開始Intel的工藝也會爆發,4年時間要掌握5代工藝,其中下一個工藝是Intel 4,官方現在透露它的進展很順利,芯片測試已經完美通過。

Intel 4工藝就是沒改名之前的Intel 7nm工藝,它可是Intel接下來非常重要的工藝節點,會首次引入EUV光刻機,能效比再提升大約20%,明年下半年投產,2023年產品上市。

現在Intel首次透露了這個“4nm EUV”工藝的進展,官方放出了48秒的視頻,顯示該工藝生產的晶圓測試過程,最后的結果就是通過了所有測試,內部的SRAM、邏輯單元、模擬單元都符合規范,芯片很“健康””。

Intel透露“4nm EUV”工藝進展:每瓦性能提升20% 進展良好-圖片1

Intel沒有公布這個晶圓的具體情況,不過結合之前的信息來看,這個測試的晶圓應該是14代酷睿Meteor Lake,已經在今年第二季度完成計算單元的流片,現在測試非常合理。

Intel透露“4nm EUV”工藝進展:每瓦性能提升20% 進展良好-圖片2

 
  • 本文由 米粒 發表于 2021年11月13日11:57:03
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