近年來(lái)，摩爾定律正在逐漸消失的說(shuō)法不絕于耳。但臺(tái)積電用工藝證明，摩爾定律不死，仍在持續(xù)往前推進(jìn)。

工藝越先進(jìn)，晶體管微縮越困難。此前，聯(lián)電、格芯相繼放棄10nm以下的先進(jìn)制程的研發(fā)，Intel也在工藝制程上持續(xù)放緩。

據(jù)芯智訊消息，12月22日舉辦的中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2021年會(huì)暨無(wú)錫集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇上，臺(tái)積電（南京）有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球表示，臺(tái)積電正在用新工藝證明了摩爾定律仍在持續(xù)往前推進(jìn)。

羅鎮(zhèn)球介紹，臺(tái)積電的7nm是在2018年推出的，5nm是在2020年推出的，我們?cè)?022年會(huì)如期推出3nm的工藝，而且我們2nm的工藝也在順利研發(fā)。

對(duì)于工藝制程來(lái)說(shuō)，最關(guān)鍵的指標(biāo)有三個(gè)：性能、功耗和密度（單位面積內(nèi)的晶體管數(shù)量）。

羅鎮(zhèn)球稱(chēng)，臺(tái)積電從7nm到5nm再到3nm，單位面積里面的晶體管數(shù)相比上一代都是會(huì)增長(zhǎng)1.7到1.8倍，性能部分每代都會(huì)提升高超過(guò)10%。同樣性能情況下，功耗可以降低20%以上。

對(duì)于3nm量產(chǎn)困難的傳聞，羅鎮(zhèn)球表示，那些都只是傳聞，會(huì)如期（2022年）量產(chǎn)3nm。

據(jù)臺(tái)積電官方資料顯示，臺(tái)積電的3nm相比上一代的5nm工藝，在邏輯密度上提升了1.7倍，性能提升了11%，同等性能下功耗可降低25-30%。