非易失性內(nèi)存喊了很久，但似乎算的上成果并商業(yè)化的也就Intel的傲騰，不過，完全做內(nèi)存也有一些壓力。
據(jù)外媒報道，三星計劃在5月24日的晶圓廠論壇活動中公布全新的magnetoresistive RAM (MRAM，磁阻式隨機(jī)存儲器)。
去年7月，三星聯(lián)合IBM展示了用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心的MRAM，速度比閃存快10萬倍，而且不丟失數(shù)據(jù)。
經(jīng)過數(shù)月的研發(fā)，三星加入了自旋轉(zhuǎn)矩技術(shù)（STT），可以加大降低功耗，從而應(yīng)用到移動設(shè)備上來，也就是手機(jī)實現(xiàn)內(nèi)存、閃存二合一。
這對于內(nèi)部空間寸土寸金，以便部署大電池或者做輕做薄的手機(jī)來說，新的整合技術(shù)無疑是福音。
不過，資料顯示，磁阻式隨機(jī)存儲器早在十幾年前就就有半導(dǎo)體公司研發(fā)，比如飛思卡爾，但進(jìn)展并不快，技術(shù)難度依然很高。