Western Digital（西部數據）今天推出了新一代iNAND嵌入式閃存芯片產品，分別支持UFS和eMMC兩種標準類型，但均基于SanDisk的64層3D堆疊技術。

其中，iNAND 8521支持UFS2.1，第五代智能SLC技術（小容量SLC做緩存），號稱連續寫入速度比當下的iNAND 7232(eMMC 5.1)提升了1倍（600MB/s），隨機讀取更是快了10倍，號稱專為5G網絡時代而生。

而iNAND 7550支持eMMC5.1標準，性價比更高，連續寫入速度260MB/s，隨機讀取20K、寫入15K。
西數表示，iNAND 8521和iNAND 7550已經開始交付OEM廠商試樣，容量是256GB。
SanDisk加入UFS2.1陣營，三星、東芝、SK海力士等于有了新對手，當然對于手機廠商和消費者來說，則意味著供貨更穩定并會加速普及。
按照Counterpoint Research研究員Neil Shah的說法，到明年底，全球所有手機的ROM平均容量將超越60GB。