1月31日上午消息，固態技術協會（JEDEC）發布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI，通用閃存存儲) v3.0標準（JESD220D、JESD223D），和UFS存儲卡v1.1標準（JESD220-2A）。

簡單來說，UFS 3.0引入了HS-G4規范，單通道帶寬提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。

由于UFS的最大優勢就是雙通道雙向讀寫，所以接口帶寬最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。

互聯層設計方面，嚴格遵守MIPI（移動產業處理器接口）的規范協議，其中物理層依據MIPI M-PHY v4.1，傳輸層依據MIPI UniProSM v1.8。

其它方面，UFS 3.0支持的分區增多（UFS 2.1是8個），糾錯性能提升，電壓2.5V，支持最新的NAND Flash閃存介質。面向工業領域如汽車自動駕駛，工作溫度零下40攝氏度到高溫105攝氏度。

至于UFSHCI v3.0規范則面向主控廠商參考，用于簡化通行設計。

至于UFS存儲卡v1.1，則實現了對HS-Gear1/2/3的全部兼容，這樣存儲速度就達到最高1.5GB/s。

另外，三星已經宣布，將在2018年第一季首發推出UFS 3.0接口的產品。由于驍龍845、Exynos 9810等尚無證據支持UFS 3.0接口，所以是否對應Galaxy S9終端或者僅僅是主控、閃存這類零部件，暫不得而知。