有消息稱，因為經費不足等原因，深圳第三代半導體研究院決定解散。

網上流傳出一份疑似深圳第三代半導體研究院發布的《解散通告》，其中稱該研究院決定自2021年8月31日起全面停止經營。

2018年3月31日，在深圳市委市政府支持下，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、南方科技大學主要參與共建的深圳第三代半導體研究院正式啟動。

按照官方說法，該研究院面向2030國家第三代半導體戰略需求，圍繞建設世界科技強國的戰略目標，依托第三代半導體產業技術創新戰略聯盟，通過資源整合、優勢互補、錯位發展，創新體制機制打造的開放式、國際化、全鏈條的第三代半導體協同創新平臺。

研究院立足深圳、覆蓋粵港澳大灣區、面向全國，力爭成為國家第三代半導體技術創新中心，推動中國第三代半導體全產業鏈進入世界先進行列。

截至目前，深圳市第三代半導體研究院官方渠道還沒有任何消息公布，官網也能正常打開。

第一代半導體材料主要是指硅（Si）、鍺（Ge）元素半導體，是半導體分立器件、集成電路和太陽能電池的最基礎材料。

第二代半導體材料是指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP），以及三元化合物半導體材料，如鋁砷化鎵（GaAsAl）、磷砷化鎵（GaAsP）等。

還有一些固溶體半導體材料，如鍺硅（Ge-Si）、砷化鎵-磷化鎵（GaAs-GaP）等；玻璃半導體（又稱非晶態半導體）材料，如非晶硅、玻璃態氧化物半導體等；有機半導體材料，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。

它們主要用于制作高速、高頻、大功率以及發光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發光器件的優良材料。

第三代半導體材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（禁帶寬度Eg>2.3eV）的半導體材料。

它們具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度、更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

從目前第三代半導體材料及器件的研究來看，較為成熟的第三代半導體材料是SiC、GaN，而ZnO、金剛石、氮化鋁等第三代半導體材料的研究尚屬起步階段。

當前我國發展第三代半導體及其器件的最大瓶頸是原材料。我國 SiC 和 GaN 材料的制備與質量等問題亟待破解。

目前我國對 SiC 材料制備的設備尚為空缺，大多數設備還依賴進口。國內開展 SiC、GaN 材料和器件方面的研究工作起步比較晚，與國外相比水平還較低，缺少原始創新的專利。

因此，發展第三代半導體材料和器件的步伐有待加速。