現(xiàn)在的DDR內(nèi)存及GDDR顯存性能雖然已經(jīng)很不錯，但AMD 2015年在Fury系列顯卡上首次量產(chǎn)的HBM內(nèi)存技術(shù)則是一次突破，TB級帶寬、功耗、面積等方面無一不是跨越式提升。

HBM已經(jīng)成為高性能計算中的頂層標(biāo)準(zhǔn)，只有那些不計成本的產(chǎn)品才會用上HBM顯存，標(biāo)準(zhǔn)也發(fā)展到了HBM2e，2019年公布的，IO傳輸速率為3.6Gbps，搭配1024-bit位寬的話可以提供超過460GB/s的超高帶寬。

然而問題也來了，那就是HBM3標(biāo)準(zhǔn)一直跳票，從五年前的2016年SK海力士、美光、三星等公司就討論過HBM3標(biāo)準(zhǔn)，可惜一直沒有定下標(biāo)準(zhǔn)，原定的2020年早就不可能了，這可能是最難產(chǎn)的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)了。

理論上HBM3的性能要比HBM2再翻一倍，可能是太難實現(xiàn)了，現(xiàn)在來看2022年甚至2023-2024年才有希望問世。

在HBM3量產(chǎn)之前，SK海力士最近公布了一個過渡性的標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)計IO頻率提升到5.2Gbps以上，帶寬則提升到665GB/s，比HBM2e提升大約44%。

SK海力士的初版HBM3還沒有問世時間。